等離子體電解液的優(yōu)化及工藝參數(shù)影響 一、等離子體氧化電解液的優(yōu)化 對硅酸鈉-磷酸鈉混合體系電解液進行對比優(yōu)化實驗,以測得氧化時間內(nèi)起弧電壓,終止電壓,時間與電壓關(guān)系等參數(shù)以及陶瓷層厚度。多聚磷酸鈉Na3P5O10濃度恒定為15 g/l。 經(jīng)過大量嘗試性實驗發(fā)現(xiàn),當(dāng)Na2SiO3濃度從4 g/l變到10 g
鋁表面等離子體電解氧化陶瓷層的生長特性 一、生長特性研究實驗過程 等離子體電解氧化陶瓷層的生長特性研究中所使用的基體材料為片狀高純鋁(20 mm×10 mm×2 mm),其化學(xué)成分為:Cu 0.005 wt.%,F(xiàn)e 0.003 wt.%,Si 0.0025wt.%,其余為鋁。實驗前先對試樣進行砂紙的逐級機械打磨,最后一級為1000#
鋁表面等離子體電解氧化及強化行為 鋁在全世界有色金屬產(chǎn)量上超過了銅而位居首位,它的用途涉及到許多領(lǐng)域,大至國防、航天、電力、通訊等,小到普通生活用品。但是鋁的致命弱點是耐腐蝕和耐磨損能力差,在使用過程中極易受到損壞,大大的影響了工件的使用壽命。
等離子體電解沉積實驗研究方法 一、相組成分析 將處理好的試樣擦洗烘干分組標(biāo)號,用日本理學(xué)D/MAX-rB型X-ray衍射儀進行X-ray衍射分析。衍射條件為:陽極選用銅靶,掃描速度為2°/min,電子加速電壓為40 kv,電流為60 mA,得出XRD衍射圖,進行峰值標(biāo)定,查出沉積層的相組成。 二、沉積層的
鹽霧噴霧系統(tǒng)基本工作原理與標(biāo)準(zhǔn)鹽霧環(huán)境箱 鹽霧噴霧系統(tǒng)基本工作原理與標(biāo)準(zhǔn)鹽霧環(huán)境箱相同: 酸性鹽霧腐蝕試驗機環(huán)境的施加是鹽霧腐蝕試驗機試驗機的關(guān)鍵技術(shù)。設(shè)計環(huán)境施加系統(tǒng)時,在滿足技術(shù)指標(biāo)的同時,重點要解決密封問題,以避免鹽霧腐蝕試驗機性氣體和鹽溶液鹽霧腐蝕試驗機試驗機并污染環(huán)境。酸